SI3459DV-T1-GE3 datasheet
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>> SI3459DV-T1-GE3 MOSFET 60V 2.2A 2.0W 200mohm @ 10V datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
SI3459DV-T1-GE3
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Siliconix
描述:
MOSFET 60V 2.2A 2.0W 200mohm @ 10V
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET 60V 2.2A 2.0W 200mohm @ 10V
SI3459DV-T1-GE3 PDF下载
制造商
Vishay/Siliconix
晶体管极性
P-Channel
汲极/源极击穿电压
60 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
2.2 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
0.22 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
SI3459DV-T1-GE3
SI3460BDV-T1-E3
SI3460BDV-T1-GE3
Si3460-D01-GM
Si3460DDV
SI3460DDV-T1-GE3
供应商
公司名
电话
深圳成德兴科技有限公司
0755-82567711
马庆勇
深圳廊盛科技有限公司
18682365538
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19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
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0755-23941632
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张育豪 13360528695
深圳市芯品会科技有限公司
0755-83265528
朱先生
SI3459DV-T1-GE3 参考价格
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